半導體廠商大陸設廠陷糾結 恐技術外流又難抵市場誘惑

    全球代表性半導體業者陸續決定前往大陸設立生產基地，盡管有技術外流的風險，但麵對全球最大的消費市場招手，業者仍決定冒險一試。由於每年大陸的半導體進口規模比進口石油還高，讓大陸政府欲積極發展半導體產業以提高自給率。如今領導業者的建廠計劃無疑是提升大陸自給率的最佳時機，長期而言還有機會取得技術。

 

    日前排名第二的IC製造業者格羅方德(GlobalFoundries)決定與重慶市政府合作，在當地興建12寸(300mm)晶圓廠。重慶市政府提供土地與建物，格羅方德負責設備與技術部分，但雙方的持分比例與投資金額等資訊並未公布。預計2017年起投產130~40納米邏輯、模擬、混合信號芯片等。

 

    業界認為，該工廠初期量產規模以每月投入晶圓為基準約1.5萬片。格羅方德則計劃將新加坡Fab 7工廠使用的技術移轉到即將新建的大陸重慶工廠。

 

    先前台積電也曾發表到南京的建廠計劃，規劃興建12寸晶圓廠，投產時間定在2018年，生產16納米FinFET芯片。從台積電最新的技術地圖(Roadmap)來看，2018年最新製程應為10納米或7納米技術，因此用於南京工廠的技術約落後兩個世代左右，原因應是考慮技術外流問題。

 

    如今格羅方德也決定在重慶建廠，並采用130~40納米，而非最先進的10納米級FinFET製程，業界認為應也是考慮技術可能外流所做的決定。

 

    在存儲器領域，兩大韓廠早已在大陸工廠使用最新技術進行生產。三星電子(Samsung Electronics)在西安工廠生產3D NAND Flash存儲器，SK海力士(SK Hynix)在無錫工廠也幾乎與韓國利川工廠同步，使用相同的先進製程量產DRAM。

 

    全球最大的半導體業者英特爾(Intel)同樣也前進大陸，2015年宣布要將位於大連的係統半導體廠房轉換為存儲器生產工廠，計劃投資約6.2兆韓元(約52.28億美元)，目標在2016年下半投產3D NAND Flash存儲器。
 

    力晶科技則決定與合肥市政府合資興建12寸晶圓半導體廠，合作方式為合肥市政府負責出資，力晶提供技術。如此一來，形同將生產技術全麵交給大陸。

 

    韓國業界認為力晶的技術約落後韓廠4~5年左右，但若有大陸政府的雄厚資金挹注，也將產生極大威脅。若韓廠研發更先進的DRAM製程稍微放慢腳步或遭遇瓶頸，未來很快就會被大陸追上。

 

    業界認為，三星、SK海力士、台積電、英特爾等半導體領導業者在大陸的建廠計劃並非合資型態，技術流出的風險較低。但格羅方德與力晶以提供技術的方式與大陸合作，將間接扶植大陸的技術競爭力，為大陸半導體產業崛起助一臂之力。

 

    但也有另一派業界人士認為，存儲器領域並非兒戲，許多有意前進大陸發展的美國、日本、德國半導體業者铩羽而歸，目前大陸政府的出資來自地方，投資不如由中央政府主導的集中，或許反而能成為韓國業者成長茁壯的機會。