SF6010是賽威科技推出的充電器PSR控製器
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午夜福利视频一区電子所代理的賽威科技(SiFirst Technology)繼在離線式(AC/DC)小功率充電器領域推出驅動MOSFET的SF5920係列之後,近期又推出全新的驅動功率BJT的PSR架構芯片SF6010。SF6010適用於充電器領域,可以實現30mW的超低待機功耗和小於±5%的高精度恒壓恒流(CV/CC)特性; 賽威這次發布的PSR控製器SF6010分別采用新穎的“多模式控製”和“智能短路保護”技術,大大提高了係統可靠性。
眾所周知,原邊反饋(PSR)控製架構由於其可省去傳統反激架構中的光耦和輔助元件而成為小功率充電器領域的主流架構。近年來,驅動功率BJT的PSR架構由於其係統成本低,因而受到了電源廠家和LED照明驅動廠家的青睞。然而由於功率BJT的耐壓比功率MOSFET要低,在極端情況下諸如短路或這過載時容易發生擊穿現象從而導致係統損壞。
SF6010采用了專利的 “多模式控製”和“智能短路保護”技術,克服了目前驅動BJT的PSR技術的缺陷,大大提高了係統的可靠性。賽威科技IC研發總監林官秋指出:目前的模擬類PSR係統大都采用PFM控製,PFM控製的好處是其優異的EMI性能。然而在小功率充電器領域,純粹PFM架構容易導致變壓器發生飽和現象,從而導致係統在過載時損壞。
SF6010采用“多模式”控製,通過在滿載附近采用PWM+PFM控製,從而防止變壓器發生飽和現象,大大提高了係統可靠性。林官秋還指出,傳統PFM架構的PSR係統在短路時,容易發生頻率“誤觸發”現象,一方麵容易導致係統短路功耗大,另一方麵容易導致功率管電壓衝高而炸機,尤其是在LED照明領域。當LED進行板端短路測試時,功率BJT由於其耐壓值相對較低,從而相對於功率MOS更容易發生炸機現象。
SF6010內部恒壓比較器參考電壓精度為+/1%,因而可以實現±5%的高精度恒壓。同時SF6010還內置線損補償(cable drop compensation), 並且無需外部環路補償電容,降低了係統成本。該芯片用在充電器領域時,可以實現30mW的超低待機功耗,達到“五星級”充電器標準。SF6010提供了SOT23-5封裝。
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